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SOI nMOSFET Canal DELTA - Corrente de fuga em altas temperaturas
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O emprego de circuitos em altas temperaturas representa um dos maiores problemas para a utilizaçăo da tecnologia MOS convencional, devido ŕ excessiva elevaçăo da corrente de fuga nas junçőes, que aumenta a potęncia dissipada durante o desligamento dos transistores e provoca a degradaçăo da tensăo de limiar nestes dispositivos. Sob este aspecto, há relatos mostrando que a tecnologia SOI apresenta-se como uma excelente alternativa ŕ tecnologia MOS convencional, devido ŕ significativa reduçăo da corrente de fuga das junçőes e da menor variaçăo da tensăo de limiar com a temperatura. Este trabalho investiga o comportamento do SOI nMOSFET de canal ż totalmente depletados, submetidos a temperaturas que variam desde a ambiente até 300şC, dando um enfoque especial para o estudo do comportamento das correntes de fuga em funçăo da temperatura, sendo assim, realizou-se uma série de simulaçőes numéricas tridimensionais variando-se as dimensőes geométricas dos dispositivos, Isto é, a largura do canal (W) e o comprimento (L), para verificar qual o comportamento elétrico demonstrado por estes transistores quando operando em tais condiçőes.
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