Doprava zdarma se Zásilkovnou nad 1 499 Kč
PPL Parcel Shop 54 Kč
Balík do ruky 74 Kč
Balíkovna 49 Kč
GLS 54 Kč
Kurýr GLS 74 Kč
Zásilkovna 49 Kč
PPL 99 Kč
Jak nakupovat
Pomoc
Doručení
PPL Parcel Shop 54 Kč
Balík do ruky 74 Kč
Balíkovna 49 Kč
GLS 54 Kč
Kurýr GLS 74 Kč
Zásilkovna 49 Kč
PPL 99 Kč
Doprava zdarma se Zásilkovnou nad 1 499 Kč
Nákupní rádce
Jsme tu pro vás!
571 999 090
Můj účet
Staňte se součástí komunity milovníků knih z celého světa a získejte hromadu výhod.
Založit účet zdarma
▸
Prázdný :-(
0
Emerging Resistive Switching Memories
Jazyk
Angličtina
Angličtina
Kniha
Brožovaná
This brief describes how non-volatile change of the resistance , due to the application of electric...
Celý popis
Libristo kód: 02942824
?
154 b
154 b
1 540
Kč
včetně DPH
Skladem u dodavatele v malém množství
Odesíláme za 13-16 dnů
30 dní na vrácení zboží
Mohlo by vás také zajímat
This brief describes how non-volatile change of the resistance , due to the application of electric voltage allows for fabrication of novel digital memory devices. The author explains the physics of the devices and provides a concrete description of the materials involved as well as the fundamental properties of the technology. He details how charge trapping, charge transfer and conductive filament formation effect resistive switching memory devices.§
Informace o knize
Plný název
Emerging Resistive Switching Memories
Autor
Jianyong Ouyang
Jazyk
Angličtina
Angličtina
Vazba
Kniha - Brožovaná
Datum vydání
2016
Počet stran
93
EAN
9783319315706
ISBN
3319315706
Libristo kód
02942824
Nakladatelství
Springer International Publishing AG
Váha
1708
Rozměry
155 x 235 x 7
Kategorie
