Doprava zdarma se Zásilkovnou nad 1 499 Kč
PPL Parcel Shop 54 Kč
Balík do ruky 74 Kč
Balíkovna 49 Kč
GLS 54 Kč
Kurýr GLS 74 Kč
Zásilkovna 49 Kč
PPL 99 Kč
Jak nakupovat
Pomoc
Doručení
PPL Parcel Shop 54 Kč
Balík do ruky 74 Kč
Balíkovna 49 Kč
GLS 54 Kč
Kurýr GLS 74 Kč
Zásilkovna 49 Kč
PPL 99 Kč
Doprava zdarma se Zásilkovnou nad 1 499 Kč
Nákupní rádce
Jsme tu pro vás!
571 999 090
Můj účet
Staňte se součástí komunity milovníků knih z celého světa a získejte hromadu výhod.
Založit účet zdarma
▸
Prázdný :-(
0
Reliability studies of GaN High Electron Mobility Transistors.
Jazyk
Angličtina
Angličtina
Kniha
Brožovaná
Most of our modern lifestyle is based on an ever expanding communication technology marked by higher...
Celý popis
Libristo kód: 09482174
?
121 b
121 b
1 214
Kč
včetně DPH
50 % šance
Prohledáme celý svět
Kdy knihu dostanu?
30 dní na vrácení zboží
Mohlo by vás také zajímat
Most of our modern lifestyle is based on an ever expanding communication technology marked by higher frequencies and bandwidth. Nowadays used devices reach material limits and GaN possess intrinsic advantages to replace current technology. To serve as a considerable alternative, the reliability of GaN devices is a key factor. This thesis addresses the main physical degradation processes of state-of-the-art devices.
Informace o knize
Plný název
Reliability studies of GaN High Electron Mobility Transistors.
Autor
Markus Cäsar, Oliver Ambacher
Jazyk
Angličtina
Angličtina
Vazba
Kniha - Brožovaná
Datum vydání
2015
Počet stran
172
EAN
9783839608975
ISBN
383960897X
Libristo kód
09482174
Nakladatelství
Fraunhofer Verlag
Váha
261
Rozměry
144 x 210 x 15
