Optojelektronnye Processy Tonkih Plenok i Perspektivy Primeneniya

V knige issledovano dejstvie radiacii na sozdannye jelementy na osnove a-SiC i nk-Si s ploshhad'ju 1 sm2, pri osveshhenii moshhnost'ju sveta AM-1 k.p.d. sostavlyaet _=6,05%; 9,45%; 11,5% dlya bar'era Shottki, p-i-n geteroperehoda i dvojnogo geteroperehoda, sootvetstvenno. Oni yavlyajutsya jeffektivnymi i stabil'nymi harakteristikami plenok, kotorye polucheny plazmohimicheskim osazhdeniem. Nabljudajutsya fotoinducirovannye jeffekty v a-Si:H i ego splavov, svyazannye s izmeneniyami parametrov materiala. Nabljudalis' izmeneniya diffuzionnoj dliny nositelej , plotnosti nesparennyh spinov, plotnosti sostoyanij v shheli i propuskaniya v infrakrasnoj oblasti. Bol'shie izmeneniya provodimosti mogut byt' vyzvany izmeneniem polozheniya urovnya Fermi. Bylo ustanovleno, chto v obshhem sluchae svet vyzyvaet smeshhenie Ef k seredine shheli: jeffekt naibolee yarko vyrazhen pri nizkih urovnyah legirovaniya, no ischezaet pri sil'nom legirovanii. Izvestno, chto v plenkah a-Si:H pri svetovom vozdejstvii nabljudaetsya izmenenie provodimosti. Takim obrazom, vazhno issledovat' stabil'nost' solnechnyh jelementov na osnove a-Si:H i ego splavov v razlichnyh usloviyah okruzhajushhej sredy i osobenno pri jexpozicii ih pod solnechnymi luchami.