Kremnievye p+-n-struktury, obluchennyh vysokojenjergeticheskimi ionami

Razvitie fiziki radiacionnyh defektov v kremnii tesno svyazano s resheniem prakticheskih problem sozdaniya bystrodejstvujushhih silovyh tranzistorov i diodov, a takzhe povysheniya radiacionnoj stojkosti poluprovodnikovyh priborov. Aktual'nost' temy raboty opredelyaetsya neobhodimost'ju v novoj informacii: vo-pervyh, o vliyanii neravnomernogo raspredeleniya radiacionnyh defektov i ih skoplenij na perehodnye processy i perenos zaryada v bar'ernyh strukturah, chto mozhet byt' ispol'zovano dlya otrabotki novyh radiacionnyh tehnologij upravleniya staticheskimi i dinamicheskimi parametrami diskretnyh bipolyarnyh poluprovodnikovyh priborov; vo-vtoryh, o defektah, sozdavaemyh pri obluchenii poluprovodnikov vysokojenergeticheskimi tyazhelymi chasticami, chto vazhno dlya prognozirovaniya radiacionnoj stojkosti jelektronnyh priborov. V rabote izlozheny rezul'taty issledovanij kremnievyh p+-n-struktur, obluchennyh vysokojenergeticheskimi ionami vismuta, kriptona, xenona. Predstavleny jexperimental'nye dannye, podtverzhdajushhie vozmozhnost' ispol'zovaniya oblucheniya ionami vismuta s jenergiej 700 MjeV v tehnologii proizvodstva bystrodejstvujushhih silovyh diodov na kremnii.