Doprava zdarma se Zásilkovnou nad 1 499 Kč
PPL Parcel Shop 54 Kč
Balík do ruky 74 Kč
Balíkovna 49 Kč
GLS 54 Kč
Kurýr GLS 74 Kč
Zásilkovna 49 Kč
PPL 99 Kč
Jak nakupovat
Pomoc
Doručení
PPL Parcel Shop 54 Kč
Balík do ruky 74 Kč
Balíkovna 49 Kč
GLS 54 Kč
Kurýr GLS 74 Kč
Zásilkovna 49 Kč
PPL 99 Kč
Doprava zdarma se Zásilkovnou nad 1 499 Kč
Nákupní rádce
Jsme tu pro vás!
571 999 090
Můj účet
Staňte se součástí komunity milovníků knih z celého světa a získejte hromadu výhod.
Založit účet zdarma
▸
Prázdný :-(
0
Intrinsic Point Defects, Impurities, and Their Diffusion in Silicon
Jazyk
Angličtina
Angličtina
Kniha
Brožovaná
This book contains the first comprehensive review of intrinsic point defects, impurities and their c...
Celý popis
Libristo kód: 02647210
?
903 b
903 b
9 027
Kč
včetně DPH
Skladem u dodavatele v malém množství
Odesíláme za 13-16 dnů
30 dní na vrácení zboží
Mohlo by vás také zajímat
This book contains the first comprehensive review of intrinsic point defects, impurities and their complexes in silicon. Besides compiling the structures, energetic properties, identified electrical levels and spectroscopic signatures, and the diffusion behaviour from investigations, it gives a comprehensive introduction into the relevant fundamental concepts.§
Informace o knize
Plný název
Intrinsic Point Defects, Impurities, and Their Diffusion in Silicon
Autor
Peter Pichler
Jazyk
Angličtina
Angličtina
Vazba
Kniha - Brožovaná
Datum vydání
2012
Počet stran
554
EAN
9783709172049
ISBN
3709172047
Libristo kód
02647210
Nakladatelství
Springer Verlag GmbH
Váha
1104
Rozměry
178 x 254 x 32
