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Etude Th orique de Nanofils Semi-Conducteurs
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Le fonctionnement des dispositifs électroniques repose sur la densité de porteurs de charge libre disponible dans les semi-conducteurs; dans la plupart des dispositifs semi-conducteurs, cette densité est contrôlée par l''ajout d''atomes dopant. Lorsque la taille des composantes diminue, la présence d''interfaces et de matériaux adjacents aux semi-conducteurs aura une influence importante qui déterminera complčtement les propriétés électroniques du dispositif. Afin d''améliorer leurs performances et leurs domaines d''application, de nouvelles architectures de transistor ŕ effet de champ (FinFET, nanofils transistors ŕ effet de champ) ont été proposées pour remplacer les dispositifs planaires utilisés aujourd''hui. Le bon fonctionnement de ces dispositifs dépend de notre capacité ŕ mieux contrôler l''emplacement et le nombre d''atomes d''impuretés dans les semi-conducteurs lors du processus de fabrication. Nous montrons ici, que la densité de porteur de charge libre dans les nanofils de semi-conducteurs dépend de leur taille, que leur propriété électronique dépend complčtement de leur environnement diélectrique.
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