Doprava zdarma se Zásilkovnou nad 1 499 Kč
PPL Parcel Shop 54 Kč
Balík do ruky 74 Kč
Balíkovna 49 Kč
GLS 54 Kč
Kurýr GLS 74 Kč
Zásilkovna 49 Kč
PPL 99 Kč
Jak nakupovat
Pomoc
Doručení
PPL Parcel Shop 54 Kč
Balík do ruky 74 Kč
Balíkovna 49 Kč
GLS 54 Kč
Kurýr GLS 74 Kč
Zásilkovna 49 Kč
PPL 99 Kč
Doprava zdarma se Zásilkovnou nad 1 499 Kč
Nákupní rádce
Jsme tu pro vás!
571 999 090
Můj účet
Staňte se součástí komunity milovníků knih z celého světa a získejte hromadu výhod.
Založit účet zdarma
▸
Prázdný :-(
0
Effects of Ultra-Thin Germanium Layers at the Silicon-Oxide Interface During Oxidation Reactions on Injection of Interstitials
Jazyk
Angličtina
Angličtina
Kniha
Brožovaná
Abstract: It is well known that the oxidation of Silicon will inject interstitial atoms into the bul...
Celý popis
Libristo kód: 22568705
?
171 b
171 b
1 706
Kč
včetně DPH
Skladem u dodavatele
Odesíláme za 9-12 dnů
30 dní na vrácení zboží
Abstract: It is well known that the oxidation of Silicon will inject interstitial atoms into the bulk, causing various effects such as OED and OSF. The presence of Germanium at this oxidizing interface has long been known to suppress this interstitial
Informace o knize
Plný název
Effects of Ultra-Thin Germanium Layers at the Silicon-Oxide Interface During Oxidation Reactions on Injection of Interstitials
Autor
THOMAS MARTIN JR.
Jazyk
Angličtina
Angličtina
Vazba
Kniha - Brožovaná
Datum vydání
2019
Počet stran
158
EAN
9780530004327
ISBN
0530004321
Libristo kód
22568705
Nakladatelství
Dissertation Discovery Company
Váha
381
Rozměry
216 x 279 x 9
