Doprava zdarma se Zásilkovnou nad 1 499 Kč
PPL Parcel Shop 54 Kč
Balík do ruky 74 Kč
Balíkovna 49 Kč
GLS 54 Kč
Kurýr GLS 74 Kč
Zásilkovna 49 Kč
PPL 99 Kč
Jak nakupovat
Pomoc
Doručení
PPL Parcel Shop 54 Kč
Balík do ruky 74 Kč
Balíkovna 49 Kč
GLS 54 Kč
Kurýr GLS 74 Kč
Zásilkovna 49 Kč
PPL 99 Kč
Doprava zdarma se Zásilkovnou nad 1 499 Kč
Nákupní rádce
Jsme tu pro vás!
571 999 090
Můj účet
Staňte se součástí komunity milovníků knih z celého světa a získejte hromadu výhod.
Založit účet zdarma
▸
Prázdný :-(
0
Defects in Boron Ion Implanted Silicon
Jazyk
Angličtina
Angličtina
Kniha
Brožovaná
The Office of Scientific & Technical Information (OSTI), is a part of the U.S. Department of Energy...
Celý popis
Libristo kód: 08281630
?
150 b
150 b
1 502
Kč
včetně DPH
Skladem u dodavatele
Odesíláme za 15-20 dnů
30 dní na vrácení zboží
Mohlo by vás také zajímat
/
Brožovaná
1 236
Kč
/
Brožovaná
966
Kč
The Office of Scientific & Technical Information (OSTI), is a part of the U.S. Department of Energy (DOE) that houses research and development results from projects funded by the DOE. The information is generally an article, technical document, conference paper or dissertation. This is one of those publications.
Informace o knize
Plný název
Defects in Boron Ion Implanted Silicon
Autor
W K Wu
Jazyk
Angličtina
Angličtina
Vazba
Kniha - Brožovaná
Datum vydání
2013
Počet stran
120
EAN
9781288823055
ISBN
9781288823055
Libristo kód
08281630
Nakladatelství
Biblioscholar
Váha
227
Rozměry
189 x 246 x 6
Kategorie
