Capacit s Variables Et Inductances Mems RF (Int gration 'above-IC')

Ce projet présente le design, la simulation et la fabrication des capacités variables ŕ électrodes fragmentées (AlSi) qui se déplacent latéralement ŕ l'aide d'actionneurs électrothermique et électrostatique. Tous les composants passifs MEMS sont réalisés ŕ de faibles températures (compatible 'Above-IC'), en utilisant, une couche sacrificielle polyimide, 4 um d'AlSi comme couche structurelle et du cuivre épais. Pour augmenter la variation de capacité, nous nous sommes concentré sur la variation de surface. Ces solutions évitent l'effet 'pull-in' mais la variation de la capacité reste inférieure ŕ 100% et la consommation en puissance est forte. Nous avons alors choisi de développer une autre capacité variable ŕ électrodes fragmentées et par actionnement latéral électrostatique. Des circuits LC ont été réalisés et caractérisés, avec une variation de fréquence de 25% ŕ 2GHz. Les inductances en cuivre ont été fabriquées avec succčs et mesurées. Enfin, dans le męme procédé, nous avons fabriqué et caractérisé des filtres passes-bandes WLAN et DCS pour un démonstrateur reconfigurable 'front end'. Ces composants ont été fabriqués avec du cuivre épais 10 um.